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【PVT法专用】高纯等静压石墨坩埚 | SiC单晶生长耐高温2400°C | 6英寸衬底定制 -
【PVT法专用】高纯等静压石墨坩埚 | SiC单晶生长耐高温2400°C | 6英寸衬底定制
- 型号4寸、6寸、8寸
- 品牌弘竣
- 价格
德国西格里SGL R6510石墨坩埚 | SiC外延生长专用 | 抗热震/耐酸碱腐蚀
随着第三代半导体产业的快速发展，对高温、高性能材料的需求日益增加。弘竣石墨推出的第三代半导体专用石墨坩埚，专为满足半导体制造中的高温工艺需求而设计，具备卓越的耐高温性、导热性和化学稳定性。可满足4寸、6寸、8寸、12寸长晶衬底需求。可来图来样定制。弘竣石墨企业优势：
1.1 原材料质量保证
我司承诺使用符合标准的高品质石墨原材料，并确保自原厂到成品各环节均有相应的质量资质与来料合格认证，实现原材料的全程可追溯与质量保证。德国西格里SGL R6510石墨坩埚 | SiC外延生长专用 | 抗热震/耐酸碱腐蚀
1.2 产品加工精度保证
我司的加工设备均为高精度精密设备，加工设备包含数控车床、CNC加工中心、纯化炉等。
检测设备包含三坐标测量仪，影像测量仪等，为我们保障了产品加工的高精度标准。
我们的操作团队由资深员工组成，拥有深厚的行业经验，确保每件产品的制造过程精准无误。
1.3 产品质量保证
我们实施严格的出厂质量检验制度，确保每一件产品都能完美符合客户的高标准要求。我们的质量管理体系旨在为客户提供无可挑剔的优质产品，实现客户满意率的百分之百。
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